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SiLM27517H

单通道 20V, 4A/5A 高（gāo）欠压（yā）保护低边（biān）门极驱动器

样（yàng）片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性（xìng）

安规认证

典型应用图

产品概述

SiLM27517H 系（xì）列（liè）是单通（tōng）道高欠压保护低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开关。SiLM27517H 采用（yòng）一种能够（gòu）从内部（bù）极（jí）大的降低（dī）直通电（diàn）流的设计，将（jiāng）高峰值的源电流和灌电流（liú）脉冲提供给电容负载，以（yǐ）实现（xiàn）轨到轨的驱动能（néng）力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电（diàn）情（qíng）况（kuàng）下（xià），能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流。SiLM27517H 欠压（yā）锁定（dìng）保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性（xìng）

低成本的门极驱动方案可用（yòng）于替代 NPN和 PNP 分离器件（jiàn）方案

4A的峰（fēng）值源电（diàn）流（liú）和（hé） 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播（bō）延（yán）时（典（diǎn）型值（zhí）为 18ns）

快速的上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的（de）单电源（yuán）范围

SiLM27517H 欠压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输入逻（luó）辑电压阈值

双输入设计(可（kě）选择反相或非反相驱动配置（zhì）)

输（shū）入浮（fú）空时输出保持为低

工作温（wēn）度范围为 -40°C 到 140°C